"Mema³ria universal " anã, em essaªncia, uma memória em que os dados são armazenados de maneira muito robusta, mas também podem ser facilmente alterados; algo que era amplamente considerado inatinga­vel - atéagora.

Atualmente, os dois principais tipos de memória, RAM dina¢mica (DRAM) e flash, possuem caracteri­sticas e funções complementares. A DRAM érápida, então usada para memória ativa (de trabalho), mas évola¡til, o que significa que as informações são perdidas quando a energia éremovida. De fato, a DRAM 'esquece' continuamente e precisa ser constantemente atualizada. O Flash não évola¡til, permitindo que vocêcarregue dados no seu bolso, mas émuito lento. a‰ adequado para armazenamento de dados, mas não pode ser usado para memória ativa.

O artigo, publicado na edição de janeiro da revista IEEE Transactions on Electron Devices , mostra como as células de memória individuais podem ser conectadas em matrizes para criar uma RAM. Ele prevaª que esses chips correspondam pelo menos ao desempenho de velocidade da DRAM, mas o fazem 100 vezes mais eficientemente e com a vantagem adicional de não volatilidade.

Essa nova RAM não vola¡til, chamada ULTRARAM, seria uma implementação operacional da chamada 'memória universal', combinando todas as vantagens da DRAM e do flash, sem nenhuma das desvantagens.

O professor Manus Hayne, que lidera a pesquisa, disse: "O trabalho publicado neste novo artigo representa um avanço significativo, fornecendo um plano claro para a implementação da memória ULTRARAM".

A equipe de Lancaster resolveu o paradoxo da memória universal, explorando um efeito meca¢nico qua¢ntico chamado tunelamento ressonante, que permite que uma barreira mude de opaca para transparente aplicando uma pequena tensão.

O novo trabalho descreve simulações sofisticadas desse processo; e propaµe um mecanismo de leitura para as células de memória que deve melhorar o contraste entre estados la³gicos em muitas ordens de magnitude, permitindo que as células sejam conectadas em grandes matrizes. Tambanãm mostra que a transição acentuada entre opacidade e transparaªncia da barreira de tunelamento ressonante facilita uma arquitetura altamente compacta com uma alta densidade de bits.

O trabalho em andamento évoltado para a capacidade de fabricação de chips de memória de trabalho, incluindo fabricação de matrizes de dispositivos, desenvolvimento de lógica de leitura, dimensionamento de dispositivos e implementação em sila­cio.